Tranzystor IRF3205PBF
Obudowa: TO 220
Id: 110A
Vds: 55V
P: 200W
Link do dokumentacji
Tranzystor IRF3205PBF Obudowa: TO 220 Id: 110A Vds: 55V P: 200W Link do dokumentacji
Tranzystor IRFP064N Obudowa: TO 247 Id: 110A Vds: 55V P: 200W
Tranzystor IRFP064N Obudowa: TO 247 Id: 110A Vds: 55V P: 200W
2N7000 KANAŁ N MOSFET Vdss = 60V Vgss =+/- 20V Id = 200 mA Obudowa TO-92 CENA ZA KOMPLET - 3 sztuki
2N7000 KANAŁ N MOSFET Vdss = 60V Vgss =+/- 20V Id = 200 mA Obudowa TO-92 CENA ZA KOMPLET - 3 sztuki
IRF7416 KANAŁ P MOSFET Vds = -30V Vgs =+/- 20V Id = -10A Obudowa SO08
IRF7413Z KANAŁ N MOSFET Vds = 30V Vgs =+/- 20V Id = 13 A Obudowa SO08
IRF7416 KANAŁ P MOSFET Vds = -30V Vgs =+/- 20V Id = -10A Obudowa SO08
IRF7413Z KANAŁ N MOSFET Vds = 30V Vgs =+/- 20V Id = 13 A Obudowa SO08
BSP315 KANAŁ P MOSFET Vdss = - 50V Vgss =+/- 20V Id = -1,1 A Obudowa SOT223
BSP315 KANAŁ P MOSFET Vdss = - 50V Vgss =+/- 20V Id = -1,1 A Obudowa SOT223
Tranzystor mocy IRFP460 MOSFET kanał N Obudowa: TO 247 Parametry dopuszczalne max: 20A, 280W, Vdss=500V
Tranzystor mocy IRFP460 MOSFET kanał N Obudowa: TO 247 Parametry dopuszczalne max: 20A, 280W, Vdss=500V
Tranzystor mocy IRFP450 MOSFET kanał N Obudowa: TO 247 Parametry dopuszczalne max: 14A, Vdss=500V
**Opis Produktu: IRFP450 MOSFET 14A 500V Tranzystor mocy** Przedstawiamy Państwu tranzystor mocy IRFP450, który jest doskonałym rozwiązaniem do zastosowań wymagających wysokiej wydajności i niezawodności. Ten tranzystor MOSFET typu N został zaprojektowany z myślą o szerokim zakresie aplikacji, w tym w systemach zasilania, falownikach, a także w ogólnych zastosowaniach elektroniki mocy. **Specyfikacja techniczna:** - Typ: IRFP450 - Typ tranzystora: MOSFET kanał N - Obudowa: TO-247 - Maksymalny prąd: 14A